王占國在全面查閱相關文獻之后，制定了切實可行的方案。他不貪圖捷徑，從最基本的光學實驗做起，一步步推進。設備差，他在摸熟儀器性能之后，大膽改進實驗條件。最終，他總結出一套新實驗方法，解決了在多子系統中研究少子陷阱性質的難題。既節省了測量時間，也提高了實驗精度和可靠性，還簡化了樣品的制備要求。

 

難題的解決，引起了系里同行的注目。王占國那個冷落的實驗室，一下子熱鬧起來。研究生們有的來向王占國祝賀，有的來求教實驗中的種種疑難。同事萊德堡博士不解地問：“這么一個新的實驗方法，你是如何想出來的呢？”王占國幽默地說：“還記得哥倫布立雞蛋的故事吧，用他的話說：‘事情就這么簡單’”。

 

中心主任哥爾馬斯主動提出讓王占國使用自己的實驗室。進入哥爾馬斯的實驗室，王占國如魚得水。他潛心研究手頭的課題，得出的結果與哥爾馬斯的結論大相徑庭。王占國沒有立即公開自己的研究成果，而是寫信向黃昆和林蘭英匯報。不久，他收到回信：“物理學上沒有不變的規律，不要迷信權威。科學，從來就是后人對前人結論的不斷修正才得以發展起來的……” 受此鼓舞，王占國又采用一種新方法對實驗數據進行嚴格驗證，最終確定自己的實驗結果是正確的。

 

當王占國把實驗結果交給哥爾馬斯審閱時，哥爾馬斯非常驚訝。但當他提出的問題被王占國一一解答后，哥爾馬斯不得不承認“實驗結果是無可挑剔的”。他起身熱情地握住王占國的手說：“密斯特王，了不起，祝賀你！”

 

王占國根據實驗結果寫成的學術論文發表后，國際上深能級研究的另一大權威，美籍華裔科學家薩支唐在美國《應用物理》雜志上感慨地寫道：“王用哥爾馬斯的實驗室測得的結果，否定了哥氏的結論”。

 

辛勤耕耘 無怨無悔

 

1983年11月，王占國歸國。從1984年開始，他致力于深能級物理實驗室建設和材料物理的研究。

 

1987年，王占國通過我國發射的科學實驗衛星，首次成功地在空間從熔體中生長出了GaAs單晶，開拓了我國微重力材料科學研究的新領域。這一成果榮獲中科院科技進步一等獎（1989）和國家科技進步三等獎（1990）。根據在太空生長GaAs的實驗結果，王占國又提出“太空中由于重力驅動的溶質對流消失，可使化合物材料化學配比得以精確控制”的新觀點，對化合物半導體的研究有很好的指導作用。

 

在任國家“863計劃”新材料領域專家委員會委員、常委和功能材料專家組組長期間，王占國和蔣民華院士一起力排眾議，率先在新材料領域的“863計劃”中設立了GaN基材料和藍綠光器件研究課題，繼而以重點和重大專項給予了有力支持，為我國半導體固態照明技術（LED）的發展打下了基礎。同時，他還堅持把全固態激光器作為材料領域的優先研發課題，并以重大專項形式予以持續穩定的支持，取得了一批具有國際先進水平的成果。在“863計劃”15周年時，王占國被科技部授予先進個人稱號。

 

最近10年，王占國的研究重點集中在半導體低維結構和量子器件這一國際前沿領域。2002年底，他和中科院半導體材料科學重點實驗室的同事們一起，研制出國際首只量子點超輻射發光管。2007年，他們又將量子點超輻射發光管的光譜寬度，進一步拓寬至110納米以上。目前，該實驗室研制的1微米波段量子點超輻射發光管的綜合性能，處于國際最好水平。

 

王占國至今已培養了一百多名碩士、博士，大多學有所成，活躍在國內外半導體材料研究領域。每一屆學生畢業的時候，王占國都要提醒他們：無論你們走到哪里，都不要忘記自己的祖國，要為中國的強盛作貢獻。

 

人物介紹

 

王占國，1938年12月出生于河南省鎮平縣。1962年畢業于南開大學物理系，分配到中科院半導體所工作。1980年赴瑞典隆德大學固體物理系做訪問學者。1986年破格晉升為中科院半導體研究所研究員。1995年當選為中國科學院院士。

 

王占國致力于半導體材料光電性質、半導體深能級和光譜物理研究，砷化鎵材料與器件關系研究，半導體低維結構材料與量子器件研究等工作。研究成果曾獲國家和中科院自然科學獎、科技進步獎、何梁何利科學技術獎以及多項國家重點科技攻關獎。現任中國電子學會半導體和集成技術分會主任，國家“973”計劃材料領域咨詢專家組組長等。先后曾任中科院半導體所副所長、中國材料研究學會副理事長和國家“863”新材料領域專家委員會委員、常委和功能專家組組長等。■本報記者 郭勉愈【原標題：王占國：科學的道路沒有捷徑】