基于GaAs和InP基的超晶格、量子阱材料已經發展得很成熟，廣泛地應用于光通信、移動通訊、微波通訊的領域。量子級聯激光器是一個單極器件，是近十多年才發展起來的一種新型中、遠紅外光源，在自由空間通信、紅外對抗和遙控化學傳感等方面有著重要應用前景。它對MBE制備工藝要求很高，整個器件結構幾百到上千層，每層的厚度都要控制在零點幾個納米的精度，我國在此領域做出了國際先進水平的成果；又如多有源區帶間量子隧穿輸運和光耦合量子阱激光器，它具有量子效率高、功率大和光束質量好的特點,我國已有很好的研究基礎；在量子點（線）材料和量子點激光器等研究方面也取得了令國際同行矚目的成績。

 

　　小結

 

　　從整個半導體材料和信息技術發展來看，目前的信息載體主要是電子，即電子的電荷（電流）。電子還有一個屬性，電子的自旋，我們尚未用上。如果我們再把電子的自旋用上，就增加了一個自由度，這也是人們目前研究的方向之一。我們從電子材料硅、鍺發展到光電子材料GaAs和InP，GaN等，就是電子跟光子可以結合一起使用的材料，光電子材料比電子材料的功能更強大；再下一代的材料很可能是光子材料。我們現在只用了光子的振幅，而光的偏振和光的位相應用還未開發出來，所以這給我們研究者留下了非常廣闊的天地。從材料的發展來看，從塊體材料向薄層、超薄層，低維（納米）結構材料和功能芯片材料方向發展；功能芯片可能是有機跟無機的結合，也可以是生命與有機和無機的結合，這也為我們提供了一個非常廣闊的創新的天地，我相信人們將來能在這個領域大有作為。 【原標題：王占國：半導體材料的過去、現在和將來】